无线充方案和PD充电器方案MOS发热要如何选型才能避免

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MOSFET 发热的工作损耗分为以下几部分：

1、导通损耗Pon

导通损耗,指在 MOSFET 完全开启后负载电流（即漏源电流） IDS(on)(t) 在导通电阻 RDS(on) 上产生之压降造成的损耗。

所以RDS(on) 是大多工程师比较关注的，小的 Ron 值有利于减小导通期间损耗，小的 Rth 值可减小温度差（同样耗散功率条件下），故有利于散热。

2、截止损耗Poff

截止损耗，指在 MOSFET 完全截止后在漏源电压 VDS(off) 应力下产生的漏电流 IDSS 造成的损耗。

3、开启过程损耗

开启过程损耗，指在 MOSFET 开启过程中逐渐下降的漏源电压 VDS(off_on)(t) 与逐渐上升的负载电流（即漏源电流） IDS(off_on)(t) 交叉重叠部分造成的损耗。

4、关断过程损耗

关断过程损耗。指在 MOSFET 关断过程中 逐渐上升的漏源电压 VDS(on_off) (t) 与逐渐 下降的漏源电流 IDS(on_off)(t) 的交叉重 叠部分造成的损耗。

5、驱动损耗Pgs

驱动损耗，指栅极接受驱动电源进行驱动造成之损耗

驱动损耗的计算：

确定驱动电源电压 Vgs 后，可通过如下公式进行计算：

Pgs= Vgs × Qg × fs

6、Coss电容的泄放损耗Pds

Coss电容的泄放损耗,指MOS输出电容 Coss 截止期间储蓄的电场能于导同期间在漏源极上的泄放损耗。

说明：Coss 为 MOSFET 输出电容，一般可等于 Cds

7、体内寄生二极管正向导通损耗Pd_f和反向恢复损耗Pd_recover

体内寄生二极管正向导通损耗,指MOS体内寄生二极管在承载正向电流时因正向压降造成的损耗。

体内寄生二极管反向恢复损耗，指MOS体内寄生二极管在承载正向电流后因反向压致使的反向恢复造成的损耗。